Name: Vishay Siliconix SI3588DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3588DV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (392 reviews)

Vishay Siliconix SI3588DV-T1-E3

Artikelnummer:

SI3588DV-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

Datenblätte:

1.SI3588DV-T1-E3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf SI3588DV.pdf

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI3588DV-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI3588DV-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	6-TSOP
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 3A, 4.5V
Leistung - max	830mW, 83mW
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.5A, 570mA
Konfiguration	N and P-Channel
Grundproduktnummer	SI3588
SI3588DV-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI3588DV-T1-E3 PDF - EN.pdf

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